MRF422

Notas

MRF422: Transistor de potencia RF NPN de Silicio. Diseñado para amplificadores de potencia de RF de alta ganancia y banda ancha, principalmente en el rango de HF (3-30 MHz), con capacidad limitada hasta 70 MHz. Potencia de salida típica de 125-150 W PEP a 30 MHz con una ganancia de potencia de 10-12 dB. Tensión de alimentación de colector recomendada de 28-50 Vdc. Tensión máxima de colector-emisor (Vceo) de 60 Vdc. Corriente de colector máxima de 15 A. Capaz de soportar desadaptaciones de carga de hasta 3:1 o 5:1 VSWR en todas las fases a la potencia nominal, siempre que la temperatura de unión se mantenga dentro de los límites. Disipación de potencia total de hasta 250 W (a 25°C de temperatura de caja). Encapsulado TO-204AE (o similar) para alta disipación térmica. Requiere un disipador de calor robusto y un diseño de circuito de adaptación de impedancias cuidadoso.